情报 美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在开发一种BAT激光器,这种激光器能够实现EUV光刻技术,提供10倍的功率效率提升

劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)正在探索一种新的激光技术,即拍瓦级铥激光器,这可能为半导体制造业带来革命性的变化。这项研究专注于大孔径铥(BAT)激光技术,旨在提高极紫外(EUV)光刻系统的效率,从而实现更快速、低功耗的芯片制造过程。 EUV光刻的能耗挑战 当前,EUV光刻是制造先进半导体的关键技术,但它面临着显著... 阅读全文