佳能在去年推出其首款纳米压印光刻（NIL）机器时引起了不小的轰动，该机器可以用于生产芯片，而无需使用传统的DUV或EUV系统。然而，围绕这一工具以及NIL方法本身存在很多怀疑，因为芯片制造商对其不熟悉。本周，据日经新闻报道，这家日本公司将其FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统交付给德克萨斯电子研究所（TIE）进行研究。
虽然这可能看起来不是什么大新闻，但它可能是佳能和纳米压印光刻技术的一个重大突破。德克萨斯电子研究所源于德克萨斯大学的纳米制造系统中心，以应对行业对先进异构集成日益增长的兴趣。TIE得到了包括英特尔、NXP和三星在内的一批主要半导体公司的支持。它还得到了DARPA的支持，DARPA最近向TIE和UT授予了14亿美元的拨款，用于为军事和民用应用构建多芯片3D处理器。
在TIE，佳能的FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统将由联盟中的芯片制造商用于研发——这是一个大事件，因为目前英特尔、NXP和三星（NXP除外）使用DUV和EUV光刻来制造芯片。通过研究纳米压印光刻的能力，这些公司可能会也可能不会在其晶圆厂采用NIL技术。佳能显然对这些试验寄予厚望——据日经新闻报道，它计划在未来三到五年内每年销售10到20台设备。
传统的DUV和EUV光刻系统使用光将电路图案从光掩模投影到覆盖有光刻胶的晶圆上。相比之下，纳米压印光刻直接将已经带有电路设计的模具压印到光刻胶上。这避免了光学系统的需求，允许在一次步骤中更准确地复制复杂设计，从而降低生产成本。然而，虽然光刻过程一次处理整个晶圆，但NIL是串行工作的，可能更慢。据佳能称，NIL目前能够生产5nm技术的芯片，并最终可能达到2nm节点。
然而，在NIL技术能够被广泛采用之前，它面临着许多挑战。仍然存在关于在生产过程中最小化灰尘颗粒引起的缺陷的担忧。此外，佳能需要与其他公司合作，创建与这种新光刻方法兼容的材料，这对于广泛的行业使用将是必不可少的。最后，NIL与涉及DUV或EUV的流程不兼容，使得将其集成到现有制造流程中变得不可能（或至少非常具有挑战性）——因此芯片制造商将不得不围绕NIL设计其生产技术（这既昂贵又有风险）。（来源）
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