SK海力士超越三星率先推出321层TLC NAND闪存

全球第二大内存芯片制造商 SK海力士 近日在技术竞赛中领先竞争对手三星，成为首家量产 321层TLC NAND闪存 的公司。这一技术进步将推动更高容量的内存以更实惠的价格进入市场。

技术突破与优势

SK海力士最近发布了其新款 1Tb 4D NAND芯片，创下了新的记录。该公司在不到一年前还率先推出了238层NAND闪存。与之前的发布一样，321层的突破意义重大，因为它可以显著提升消费级和企业级SSD的存储密度。

这种高密度芯片有望推动容量超过100TB的SSD价格更加亲民。这类NAND闪存对AI数据中心尤其有用，同时也能满足其他对性能要求高且需要节能存储的应用需求。

创新工艺优化

SK海力士通过巧妙的工艺优化，将超过300层堆叠在一块NAND芯片中。该公司的新 “三插头”技术 通过优化的电气连接工艺，同时连接三个内存层的垂直通道。这一工艺以出色的制造效率著称，并采用了低应力材料和自动对齐校正技术。

然而，连接如此多层数带来了应力和对齐问题，SK海力士通过开发新的低应力材料和自动对齐校正技术，确保了制造过程中的稳定性。

生产效率提升

与上一代238层NAND相比，新工艺的生产效率提高了59%。这些效率提升意味着市场上更好的性能和更低的成本。SK海力士声称，新款321层芯片的数据传输速度提高了12%，读取速度提高了13%，能效提升了10%以上。

市场计划

SK海力士计划在2025年上半年向客户交付这些新型存储设备。AI市场是初期目标，但面向游戏设备、媒体编辑和数据存储的超高容量SSD也将很快推出。

三星的应对

三星并未对此坐视不理。这家科技巨头正在研发 400层NAND，预计于2026年推出，并希望在2030年前准备好其 键合垂直NAND技术，以实现超过1000层的更高密度芯片，以及潜在容量超过200TB的SSD。日本的 铠侠（Kioxia） 也有类似的计划。

SK海力士的这一突破不仅巩固了其在存储技术领域的领先地位，也为未来更高容量、更高性能的存储解决方案铺平了道路。